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• 设备名称：金属有机化学气相沉积（MOCVD）

• 设备厂家：AIXTRON  AIX  2800G4-TM

• 工艺类别：材料生长(外延)

• 主要用途：

1. 光电器件制造：可用于制造砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等多种化合物半导体薄膜，这些薄膜是生产高性能光电器件的关键材料，如高亮度发光二极管（LED）、激光二极管等。

2. 射频器件制造：基于 GaAs、InP 等材料的化合物半导体在射频领域有重要应用，AIX 2800G4 - TM 可生长高质量外延层，用于制造射频功率放大器、微波器件等，满足通信基站、卫星通信、雷达等领域对高频、高速、高功率射频器件的需求。

3. 科研与新材料研发：支持新型化合物半导体材料的探索与性能验证，科研人员通过该设备精确控制薄膜生长参数，研究新材料的物理性质和应用潜力，为半导体技术发展提供基础。

• 技术指标：

1. 晶圆配置：有 15x4 英寸和 8x6 英寸两种配置。

2. 均匀性：厚度均匀性可达 ±2%。

3. 反应腔特点：采用独特的真水平流行星反应器，具有最佳的均匀性和最高的效率；全石墨工艺腔室，能实现最低的颗粒数和最高的重复性性能。

4. 气体注入：三重工艺气体注入，可实现产量优化。

5. 晶圆处理：单晶圆旋转，将批量腔室的生产率与单腔室的可调性相结合；高温下自动卫星装载，可实现高吞吐量和低颗粒数。

• 收费标准：1000元/小时 (8小时起约)